找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| DM6W16A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):16V;击穿电压(最小值):17.8V;击穿电压(最大值):19.7V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:177A;最大钳位电压:26V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM6W18A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):18V;击穿电压(最小值):20V;击穿电压(最大值):22.1V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:158A;最大钳位电压:29.2V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| HER206 | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.85V@2A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CAT809STBI-GT3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Voltage Detector, 6 Ua, 5.5V, 3-Sot?23; Threshold Voltage:2.93V; No. Of Supervisors / Monitors:1Monitors; Supply Voltage Min:1.2V; Supply Voltage Max:5.5V; Reset Type:active-Low, Push-Pull; Digital Ic Case:sot-23; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| E1J | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| P3100SA | Semiware Semiconductor Inc. | 反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):30pF; | 获取价格 | ||
| BEP3500SC | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | 反向截止电压(Vdrm):320V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):400V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):-;断态电容(Co):65pF; | 获取价格 | ||
| P2600SB | Semiware Semiconductor Inc. | 反向截止电压(Vdrm):220V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):300V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):80pF; | 获取价格 | ||
| P4200SC | Semiware Semiconductor Inc. | 反向截止电压(Vdrm):390V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):500V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):70pF; | 获取价格 | ||
| P3100SA | Brightking | 反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):40V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):30pF; | 获取价格 | ||
| P0640SC-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):58V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):77V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):95pF; | 获取价格 | ||
| P0640SB-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):58V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):77V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):76pF; | 获取价格 | ||
| P3100TA | Semiware Semiconductor Inc. | 反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):50pF; | 获取价格 | ||
| P0640TA | Semiware Semiconductor Inc. | 反向截止电压(Vdrm):58V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):77V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):50pF; | 获取价格 | ||
| P0300SC-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):25V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):40V;维持电流(Ih):500mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):100pF; | 获取价格 | ||
| AOD4185 | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):40.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):2.525nF; | 获取价格 | ||
| AOD417-HXY | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):34.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):1.345nF@15V; | 获取价格 | ||
| B772 | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9013 | DOESHARE | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PDTC123JT,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V; | 获取价格 |
