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74LCX02MTCMurata Manufacturing Co., Ltd.逻辑电路的归属系列:74LCX;逻辑类型:或非门;通道数:4;电源电压:2V~3.6V;静态电流(最大值):10uA;灌电流(IOL):24mA;拉电流(IOH):24mA;最大传播延迟:5.2ns@3.3V,50pF;获取价格
SF56GDIYI ELECTRONIC二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.25V@5A;反向电流(Ir):10uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj);获取价格
BEP0080SBBORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd.反向截止电压(Vdrm):6V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):25V;维持电流(Ih):30mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):-;断态电容(Co):45pF;获取价格
BEP0300SCBORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd.反向截止电压(Vdrm):25V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):40V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):-;断态电容(Co):100pF;获取价格
P2300SBSemiware Semiconductor Inc.反向截止电压(Vdrm):190V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):260V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):80pF;获取价格
P2300SCSemiware Semiconductor Inc.反向截止电压(Vdrm):190V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):260V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):80pF;获取价格
P2600SASemiware Semiconductor Inc.反向截止电压(Vdrm):220V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):300V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):50A;断态电容(Co):35pF;获取价格
P4200SBSemiware Semiconductor Inc.反向截止电压(Vdrm):390V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):500V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):70pF;获取价格
P2600SCBrightking反向截止电压(Vdrm):220V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):300V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):80pF;获取价格
P3500SB-MSMason semiconductor反向截止电压(Vdrm):320V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):400V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):48pF;获取价格
P3100SB-MSMason semiconductor反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):52pF;获取价格
B0300TBBrightking反向截止电压(Vdrm):25V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):40V;维持电流(Ih):10mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):75A;断态电容(Co):50pF;获取价格
P0300SASemiware Semiconductor Inc.反向截止电压(Vdrm):25V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):40V;维持电流(Ih):40mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):50A;断态电容(Co):70pF;获取价格
IRFR024N-HXYShenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):531pF;获取价格
IRFR5305TShenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd.类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):72mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):2.46nF;获取价格
HXY70P03DShenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd.类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):3.45nF@25V;获取价格
2SB1184Rubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V;特征频率(fT):70MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
PDTC124TT,215Rubycon Corporation晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V;获取价格
NTR4503NT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):1.5A;功率(Pd):420mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@2.5A,10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):250pF@24V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
U1DYangjie Electronic Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):920mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):25ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格