找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N4448WS | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4448WT | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| TPCJ2101 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| TPDMP2160UW | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148WX-TP | Micro Commercial Components | 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@50mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RHRG30120 | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：30A 正向压降(Vf)：3.2V@30A 反向电流(Ir)：250uA@1.2kV 反向恢复时间(trr)：85ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| DTC143ZE | Taiwan shike Electronics co.,ltd | +150℃@(Tj) 80@10mA,5V 0.3V@5mA,0.25mA 4.7kΩ 10 250MHz 150mW 1.3V@5mA,0.3V 0.5V@100uA,5V 100mA 1 NPN - Pre Biased SOT-523-3 | 获取价格 | ||
| BAV70W-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：1对共阴极 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBD914-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| NTTFS4929NTAG | ON Semiconductor | N沟道 , 30V , 34A , 22.3W , 8.8mΩ@10V,10A , 2.2V@250uA , 8.8nC@4.5V , 920pF@15V , 175pF@15V , -55℃~+150℃@(Tj) , | 获取价格 | ||
| MUR260RLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.35V@2mA 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MUR1540G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：1.25V@15A 反向电流(Ir)：10uA@400V 反向恢复时间(trr)：60ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) 开关型功率整流器 | 获取价格 | ||
| MMBD4148CC | MDD辰达半导体 | 二极管配置:1对共阴极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASPL431AZA/SOT23 | Ascend Frequency Devices | 电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:40V;输出电压:2.5V~36V;输出电流:-;精度:-;温度系数:-;静态电流:-;最小阴极电流调节:400uA;动态阻抗:100mΩ;工作温度:-25℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| CP2300SB | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 反向截止电压(Vdrm):190V;反向漏电流(Idrm):1uA;开关电压(Vs):260V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):30pF; | 获取价格 | ||
| C2383B | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| B834A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,300mA;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| D880A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,300mA;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSD24C | Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd. | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):24V;击穿电压:26V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:-;最大钳位电压:52V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:350W@8/20us; | 获取价格 | ||
| H1DFS | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
