找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| DM8W36AQ-13 | Diodes Incorporated | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):36V;击穿电压(最小值):40V;击穿电压(最大值):44.2V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:114A;最大钳位电压:58.1V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:6.6kW; | 获取价格 | ||
| DM6W30A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):30V;击穿电压(最小值):33.3V;击穿电压(最大值):36.8V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:95A;最大钳位电压:48.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| FHD70-ME | GUANGDONG FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY HOLOING CO.,LTD. | 二极管配置:1对共阴极;功率:225mW;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):2.5uA@70V;反向恢复时间(trr):6ns; | 获取价格 | ||
| FDT86244 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):2.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):128mΩ@2.8A,10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):395pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDN537N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.5A；6.5A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@6.5A,10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):465pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BDX53BG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):200uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):4V@3A,12mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V;特征频率(fT):-;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES1JF | Jiangsu HD-Frequency Technology Co. , Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.65V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES2JT | JF | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.7V@2A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| F1GFS | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| P1500SB | Brightking | 反向截止电压(Vdrm):140V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):180V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):60pF; | 获取价格 | ||
| P0300SB | SEMBO ELECTRONICS | 反向截止电压(Vdrm):25V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):40V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):75A;断态电容(Co):140pF; | 获取价格 | ||
| P0080SC-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):6V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):25V;维持电流(Ih):40mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):105pF; | 获取价格 | ||
| P4200SB-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):400V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):520V;维持电流(Ih):100mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):36pF; | 获取价格 | ||
| P4200SC-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):400V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):520V;维持电流(Ih):100mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):45pF; | 获取价格 | ||
| P3500SC-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):320V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):400V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):60pF; | 获取价格 | ||
| P3100SC-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):65pF; | 获取价格 | ||
| P0300TA | Semiware Semiconductor Inc. | 反向截止电压(Vdrm):25V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):40V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):50pF; | 获取价格 | ||
| P0080TB-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):6V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):25V;维持电流(Ih):40mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):29pF; | 获取价格 | ||
| P3500LA | Shenzhen Jksemi Electronics Co. Ltd. | 反向截止电压(Vdrm):320V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):400V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):30pF; | 获取价格 | ||
| NCEP033N85D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):220W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.95mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.2nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):24pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
