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ZXMN6A08E6TADiodes IncorporatedMOSFET N-CH VDS=60V ID=3.5A VGS=±20V SOT26获取价格
RUH30150MShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., LtdMOSFETs PDFN5060 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=150A获取价格
RUH3051M2Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., LtdMOSFETs PDFN3333 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=50A获取价格
DMN5L06VAK-7Diodes Incorporated2N沟道 VDS=50V VGS=±20V ID=280mA P=250mW获取价格
DMN61D9UW-7Diodes IncorporatedN沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=340mA P=320mW获取价格
AOD7N65Alpha & Omega Semiconductor(AOS)N沟道MOSFET TO252 VDS=650V VGS=±30V ID=7A获取价格
AON6262EAlpha & Omega Semiconductor(AOS)N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=40A DFN5X6获取价格
NCE2305WUXI NCE POWER CO., Ltd.MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.4A SOT23-3获取价格
HD5N50(BEO)HL类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
BSC076N04NDInfineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
BSZ063N04LS6Infineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
IAUZ18N10S5L420Infineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
IAUC120N04S6L008Infineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
FDC6420CMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
FDMS86200DCMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
BUK9612-55B,118Rubycon Corporation类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):157W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,25A;获取价格
FS2310MFOSAN Semiconductor类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A;获取价格
FDV301NMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):220mA;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,400mA;获取价格
YFW30N06ADYFW类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,25A;获取价格
FR1205-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A;获取价格