找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SVF14N65CFJ | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.67nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):6.2pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMIRF8N60T1TL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.16nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM60N45KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):80W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.92nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HY1001D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):82nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):220pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AOD2606-MS | Mason semiconductor | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):33nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.68nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF4N65RDTR | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):77W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):440pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE0202ZA | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):580pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 7580D | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):86A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.053nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N65A3HD1-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GN10N65A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):21.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.42nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS5N60FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| G03N10 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HF5N65(BEB) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):33W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):600pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HP120N04(BGG) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):91nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.061nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK758R3-40E,127 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):96W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):24nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1300pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):144pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK9M15-40HX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.1mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.85V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):733pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):28pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK9M9R5-40HX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.77V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):17nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.098nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):41pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7K15-80EX | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):23A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.2mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):35.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.847nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):115pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7277-55A,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):316pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):64pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7K134-100EX | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):9.8A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):97mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):423pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):41pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
