找到“bts650p”相关的规格书共6,180个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| TK190U65Z,RQ | TOSHIBA CORPORATION | 表面贴装型 N 通道 650 V 15A（Ta） 130W（Tc） TOLL | 获取价格 | ||
| STGF30M65DF2 | ST | IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 38 W 通孔 TO-220FP | 获取价格 | ||
| STFW20N65M5 | ST | MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF | 获取价格 | ||
| FCP360N65S3R0 | ON Semiconductor | 通孔 N 通道 650 V 10A（Tc） 83W（Tc） TO-220-3 | 获取价格 | ||
| TK040N65Z,S1F | TOSHIBA CORPORATION | 通孔 N 通道 650 V 57A（Ta） 360W（Tc） TO-247 | 获取价格 | ||
| FCHD040N65S3-F155 | ON Semiconductor | 通孔 N 通道 650 V 65A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3 | 获取价格 | ||
| UJ3C065030K3S | Qorvo, Inc | 通孔 N 通道 650 V 85A（Tc） 441W（Tc） TO-247-3 | 获取价格 | ||
| UF3C065080K3S | Qorvo, Inc | 通孔 N 通道 650 V 31A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3 | 获取价格 | ||
| IKWH20N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 沟槽型场截止 650 V 55 A 136 W 通孔 PG-TO247-3-32 | 获取价格 | ||
| IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 沟槽型场截止 650 V 100 A 240 W 通孔 PG-TO247-3-32 | 获取价格 | ||
| FGHL75T65LQDT | ON Semiconductor | FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2 | 获取价格 | ||
| IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 395 W 通孔 PG-TO247-3 | 获取价格 | ||
| GC20N65F | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 通孔 N 通道 650 V 20A（Tc） 34W（Tc） TO-220F | 获取价格 | ||
| IHFW40N65R5SXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 沟槽型场截止 650 V 61 A 108 W 通孔 PG-HSIP247-3-2 | 获取价格 | ||
| TP65H035G4WSQA | Transphorm | 通孔 N 通道 650 V 47.2A（Tc） 187W（Tc） TO-247-3 | 获取价格 | ||
| TW015N65C,S1F | TOSHIBA CORPORATION | 通孔 N 通道 650 V 100A（Tc） 342W（Tc） TO-247 | 获取价格 | ||
| FGHL40T65MQD | ON Semiconductor | IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 238 W 通孔 TO-247-3 | 获取价格 | ||
| FZ400R12KE3B1HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 模块 单路 1200 V 650 A 2250 W 底座安装 模块 | 获取价格 | ||
| MSCGTQ100HD65C1AG | Microchip Technology Inc. | IGBT 模块 沟道 半桥 650 V 80 A 底座安装 SP1 | 获取价格 | ||
| RHEF650-AP | MACOM[TycoElectronics] | RHEF650-AP - PolySwitch Resettable Devices - Tyco Electronics | 获取价格 |
