找到“bts650p”相关的规格书共6,180个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| 1N65G | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 此款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-223封装，内部集成N沟道结构，具备出色的耐压性能（650V）和连续电流承载能力（1A），尤其适用于各类高压、低功耗应用场景 | 获取价格 | ||
| HFS10N65U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):980mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP10N65A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):156W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHF10N65B | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS2N65A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS10N65FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS2N65FA9 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):27W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS12N60FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HF12N60 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FF650R17IE4 | Infineon Technologies | Igbt Module; Continuous Collector Current:650A; Power Dissipation:4.15Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:tab; Collector Emitter Voltage Max:1.7Kv; Product Range:- Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| IDDD06G65C6 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):18A;正向压降(Vf):1.25V@6A;反向电流(Ir):600nA@420V; | 获取价格 | ||
| IDDD20G65C6 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):51A;正向压降(Vf):1.25V@20A;反向电流(Ir):2uA@420V; | 获取价格 | ||
| BCP52-10,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | 获取价格 | ||
| BCP53-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | 获取价格 | ||
| TK11A65W,S5X(M | TOSHIBA CORPORATION | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.1A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@450uA; | 获取价格 | ||
| SMD2N65 | Shenzhen HuaKe Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| TPD65R380C | Wuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):78W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FCD360N65S3R0 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@1mA; | 获取价格 | ||
| LSG65R380GF | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| MDD10N65F | MDD辰达半导体 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路 | 获取价格 |
