找到“bts650p”相关的规格书共6,180个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BCP55-16,115 | Nexperia | SOT223-3L晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：650mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V | 获取价格 | ||
| FGH75T65SHD-F155 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):455W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):150A;集电极脉冲电流(Icm):225A;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):-;输入电容(Cies@Vce):-;导通损耗(Eon):2.4mJ;关断损耗(Eoff):0.72mJ;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FGH75T65SQDT-F155 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):375W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):150A;集电极脉冲电流(Icm):300A;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):-;输入电容(Cies@Vce):-;导通损耗(Eon):0.3mJ;关断损耗(Eoff):0.07mJ;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FGAF40S65AQ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):94W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):80A;集电极脉冲电流(Icm):160A;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):-;输入电容(Cies@Vce):-;导通损耗(Eon):0.132mJ;关断损耗(Eoff):0.062mJ;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB12N50F-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| BCP68,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| VBFB165R04 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| AFGHL40T65SPD | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):267W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):80A;集电极脉冲电流(Icm):120A;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):-;输入电容(Cies@Vce):-;导通损耗(Eon):1.16mJ;关断损耗(Eoff):0.27mJ;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| VBL165R04 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| BCP68,115 | Nexperia | SOT223-3L晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：20V 集电极电流(Ic)：2A 功率(Pd)：650mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@2A,200mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：85@500mA,1V | 获取价格 | ||
| LMBTH10LT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 甚高频/超高频晶体管 100uA 25V 300mW 60@4mA,10V 50mA 650MHz 500mV@4mA,400uA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| FGH60T65SQD-F155 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):333W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):120A;集电极脉冲电流(Icm):240A;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):-;输入电容(Cies@Vce):-;导通损耗(Eon):0.227mJ;关断损耗(Eoff):0.1mJ;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857AW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):125@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AFGY100T65SPD | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):660W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):120A;集电极脉冲电流(Icm):300A;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):-;输入电容(Cies@Vce):-;导通损耗(Eon):5.1mJ;关断损耗(Eoff):2.7mJ;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FGA30T65SHD | Murata Manufacturing Co., Ltd. | IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):238W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):60A;集电极脉冲电流(Icm):90A;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):-;输入电容(Cies@Vce):-;导通损耗(Eon):0.598mJ;关断损耗(Eoff):0.167mJ;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CR7N65A4K | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):108W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):24nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3.2pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC858ALT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF14N65CFJ | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.67nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):6.2pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF4N65RDTR | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):77W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):440pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 9015C | ST(先科) | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：450mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：650mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=200~600 | 获取价格 |
