找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BD679G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Trans, Bipol, Npn, 80V, To-225; Transistor Polarity:npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Transition Frequency Ft:200Mhz; Power Dissipation Pd:40W; Dc Collector Current:4A; Dc Current Gain Hfe:750Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| 2SB1124T-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):350mV@2A,100mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1419S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJPF3305H2TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@4A,1A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@2A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT2222A | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):350mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9013 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N3055T3BL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):115W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@10A,3.3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V;特征频率(fT):2.5MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD31C | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):20μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD32CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD44H11G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@8A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V;特征频率(fT):85MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5353BL-TN3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):750V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):22W;集电极截止电流(Icbo):100μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@1.2A,240mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD31CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD965T | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| B772 | YONGYUTAI | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1132 | YONGYUTAI | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC3356G-B-AE2-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@20mA,10V;特征频率(fT):7GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBTA42 | YONGYUTAI | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;集电极截止电流(Icbo):80nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@30mA,3mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSC945CYTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TIP32CL-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJE3055 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):1mA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):8V@10A,3.3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V;特征频率(fT):2MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
