找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ZPD5.1 | DIOTEC | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):4.8V~5.4V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@800mV;阻抗(Zzt):60Ω; | 获取价格 | ||
| RD-RS07D | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FF7 | GOOD-ARK | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TPBT4448-1006 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | Trr=4纳秒 VF=1.2V@100mA 单个 VRM=90V IR=500nA@80V Io=100mA+125℃@（Tj）DFN1006开关二极管ROHS | 获取价格 | ||
| BZT52C3V0S-W2 | MDD辰达半导体 | 稳压值(标称值)：3V 精度：±5% 反向电流(Ir)：50uA@1V | 获取价格 | ||
| 1SMA5930BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.2V~16.8V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@12.2V 阻抗(Zzt)：10Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5230BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：4.7V 稳压值(范围)：4.47V~4.94V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5uA@2V 阻抗(Zzt)：19Ω | 获取价格 | ||
| SZBZX84C10LT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：10V 稳压值(范围)：9.4V~10.6V 功率：250mW 反向电流(Ir)：200nA@7V 阻抗(Zzt)：150Ω | 获取价格 | ||
| SZBZX84C18LT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：16.8V~19.1V 功率：250mW 反向电流(Ir)：50nA@12.6V 阻抗(Zzt)：225Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5931BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@13.7V 阻抗(Zzt)：12Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ12T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：12V 稳压值(范围)：11.4V~12.6V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@8V 阻抗(Zzt)：25Ω | 获取价格 | ||
| 1SS400SMT2R | Rohm Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V | 获取价格 | ||
| BZT52C51 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：51V 稳压值(范围)：48V~54V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：1uA@39V 阻抗(Zzt)：180Ω | 获取价格 | ||
| 1N5240B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：10V 稳压值(范围)：9.5V~10.5V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：3μA@8V 阻抗(Zzt)：17Ω 10V 0.5W | 获取价格 | ||
| 1SS184 | Jingdao | 二极管配置：1对共阴极 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V | 获取价格 | ||
| B16W | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：700mV@1A 反向电流(Ir)：100μA@60V | 获取价格 | ||
| S1G | Jingdao | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5μA@400V 400V,1A,VF=1.1V@1A,整流二极管 | 获取价格 | ||
| SR05LC | MDD辰达半导体 | Uni PD=125W VRWM=5V VBR=6V VC=25V IPP=5A IR=1uA CJ=0.9PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ESD5Z3.3C | MDD辰达半导体 | Bi PD=84W VRWM=3.3V VBR=4V VC=12V IPP=7A IR=1uA CJ=12PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| B0520W | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：390mV@500mA 反向电流(Ir)：250μA@20V | 获取价格 |
