找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| ES1006FL_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：1.7V 1A 直流反向耐压(Vr)：600V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：500nA 600V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃ (Tj) | 获取价格 | ||
| RS2M-SMB | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.3V 2A 反向电流(Ir)：5μA 1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度(最小值)：-65℃ (Tj) 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) | 获取价格 | ||
| ES2J-SMB | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.7V@2A 反向电流(Ir)：5μA@600V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| SMBJ180A | Brightking | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：180V 击穿电压(最小值)：201V 击穿电压(最大值)：222V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：2.1A 最大钳位电压：292V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：600W VRWM=180V | 获取价格 | ||
| SMAJ9.0CA | Brightking | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：9V 击穿电压(最小值)：10V 击穿电压(最大值)：11.1V 反向漏电流(Ir)：10μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：26A 最大钳位电压：15.4V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：400W | 获取价格 | ||
| SMAJ440A | Brightking | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：440V 击穿电压(最小值)：492V 击穿电压(最大值)：543V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：0.6A 最大钳位电压：713V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：400W | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| BAS521BX | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：380mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS521BF | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：380mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS21JF | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：550mW 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.1V@100mA 反向电流(Ir)：150nA@250V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS16THR | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：90V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1SS355 | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：90V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1SS181 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：1对共阳极 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| HER104 | MDD辰达半导体 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@300V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS16TW-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBD3004S-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：1对串联式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：225mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@240V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS21THVL | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| MUR480ERLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：4A 正向压降(Vf)：1.85V@4A 反向电流(Ir)：25uA@400V 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 |
