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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MMDT1N434 | SEMTECH_ELEC[SEMTECHELECTRONICSLTD.] | MMDT1N434 - NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor - SEMTECH ELECTRONICS LTD. | 获取价格 | ||
| MMDL914T1 | ON Semiconductor | RECTIFIER DIODE | 获取价格 | ||
| MMDL770T1 | ETL[E-TechElectronicsLTD] | MMDL770T1 - Schottky Barrier Diode - E-Tech Electronics LTD | 获取价格 | ||
| MMDF7N02Z | MOTOROLA[Motorola,Inc] | MMDF7N02Z - DUAL TMOS POWER MOSFET 7.0 AMPERES 20 VOLTS - Motorola, Inc | 获取价格 | ||
| MMDT3946 | MDD辰达半导体 | SOT-363塑料封装晶体管 | 获取价格 | ||
| MMDTC114EE | ST(先科) | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):500nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@10mA,0.5mA;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@10mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5m | 获取价格 | ||
| MMDL6050T1 | ON Semiconductor | Diode Standard 70V 200mA (DC) Surface Mount SOD-323 | 获取价格 | ||
| MMDT2907A-7 | Diodes Incorporated | TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT363 | 获取价格 | ||
| MMDT4401-TP | Micro Commercial Components | TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363 | 获取价格 | ||
| MMDT4126-7-F | Diodes Incorporated | TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363 | 获取价格 | ||
| MMDT3946-7-F | Diodes Incorporated | TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363 | 获取价格 | ||
| MMDT2222A-7-F | Diodes Incorporated | TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363 | 获取价格 | ||
| MMDL301T1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323 | 获取价格 | ||
| MMDT5451-7-F | Diodes Incorporated | 通用三极管 NPN,PNP Ic=200mA Vceo=160V,150V hfe=80~250/60~240 P=320mW SOT363 | 获取价格 | ||
| MMDT3906SG | Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. | 通用三极管 SOT23-6 PNP VCEO=40V VCE(sat）=0.4V Ic=0.2A PD=1000mW | 获取价格 | ||
| MMDT3904DW | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 三极管 | 获取价格 | ||
| MMDT3906DW | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型：2个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMDT3946DW | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMDS25254HT1 | NXP Semiconductors | RF IC Advanced Doherty Alignment Module General Purpose 2.3GHz ~ 2.7GHz 32-QFN (6x6) | 获取价格 | ||
| MMDT5401-TP | Micro Commercial Components | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | 获取价格 |
