找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| B16W | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：700mV@1A 反向电流(Ir)：100μA@60V | 获取价格 | ||
| LBC856BWT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用晶体管PNP硅 15nA 65V 150mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 650mV@100mA,5mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SC-70 | 获取价格 | ||
| L9012QLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用晶体管 150nA 20V 225mW 500mA 600mV@500mA,50mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| 2SB1123 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 硅通用晶体管 100nA 25V 1W 140@100mA,1V 1.5A 200MHz 500mV@800mA,80mA PNP +150℃@(Tj) SOT-89-3 | 获取价格 | ||
| 2SB1188R | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 硅通用晶体管 100nA 25V 1W 120@100mA,1V 1.5A 200MHz 500mV@800mA,80mA PNP +150℃@(Tj) SOT-89-3 | 获取价格 | ||
| B0520W | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：390mV@500mA 反向电流(Ir)：250μA@20V | 获取价格 | ||
| SS18 | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：700mV@1A 反向电流(Ir)：200μA@80V 80V 1A VF=0.7V@1A | 获取价格 | ||
| WNM2020-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道 | 获取价格 | ||
| LBC807-16LT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用晶体管 100nA 45V 225mW 100@100mA,1V 500mA 100MHz 700mV@500mA,50mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| LBC846ALT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用晶体管NPN硅 5nA 65V 225mW 180@2mA,5V 100mA 100MHz 600mV@100mA,5mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| WPM2031-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率MOSFET 20V 600mA 495mΩ@4.5V,450mA 360mW 650mV@250uA 10.2pF@10V P Channel 74pF@10V 1.67nC@4.5V +150℃@(Tj) SOT-723 | 获取价格 | ||
| MMBT5551 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 通用三极管 50nA 160V 250mW 80@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| SSL310F | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：600mV@3A 反向电流(Ir)：100μA@100V | 获取价格 | ||
| BCX53-16-TP | Micro Commercial Components | 塑料封装晶体管 100nA 80V 500mW 100@150mA,2V 1A 50MHz 500mV@500mA,50mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-89-3 | 获取价格 | ||
| 1N5817WS | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：750mV@3A 反向电流(Ir)：1mA@20V SJ(SJ表示丝印) | 获取价格 | ||
| 1N5819W | TWGMC | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：900mV@3A 反向电流(Ir)：1mA@40V | 获取价格 | ||
| 0466.500NRHF | Littelfuse Inc. | 标称电压降：158.47mV 熔断 I²t：0.006 分断能力：50A 产品：贴片式保险丝 标称冷电阻：248mΩ 保险丝类型：快速熔断 额定电流：500mA | 获取价格 | ||
| 1N5819W | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：600mV@3A 反向电流(Ir)：1mA@40V | 获取价格 | ||
| BAT46GWJ | Nexperia | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：710mV@250mA 反向电流(Ir)：2uA@100V | 获取价格 | ||
| MSS1P4-M3--89A | Vishay Intertechnology, Inc. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：480mV@1A 反向电流(Ir)：200uA@40V | 获取价格 |
