找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1202S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDV045P20L | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.15A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):86mΩ@4.5V,1.15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.4nC@0~2.5V;输入电容(Ciss@Vds):812pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB9409L-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.36nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):42pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1815S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1202S-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQB10N50CFTM-WS | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):143W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):510mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.66nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):17.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC3649T-TD-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE65T360D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SBCP68T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@100mA,5V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE6080D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):90nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):210pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSH6115 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):86.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,18A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.635nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):141pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG054N09NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):135A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):88.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.067nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):59pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG060N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):105A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):48nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.95nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP033N10D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):245W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):127.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.8105nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):30pF@50V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2080K | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@4.5V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):800mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.56nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):356pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMSH1004AE | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):66nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):4.398nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@50V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KNB2910B | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):211W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):160nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.95nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):380pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB649AG-C-TN3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@600mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5964-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):380MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SCR375PT100R | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@200mA,5V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
