找到“3140UA”相关的规格书共5,804个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ATM2N65TD | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):28W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):370pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):9pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM6402NSA | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.1A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,6.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):645pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):68pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HG4953M/TR | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.9A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):53mΩ@10V,4.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):625pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003A-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HP16N10 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):16A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):519pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):103pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HB100N08 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):82V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.053nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD60P03 | HL | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.7nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):69W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@105uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43.2nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):3.19nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):110pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ084N08NS5 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):64A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.1mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@31uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):1.4nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):13pF@40V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ0909NS | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):34V;连续漏极电流(Id):36A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.1nC@0~4.5V;输入电容(Ciss@Vds):975pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):21pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSP603S2L | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):5.2A;功率(Pd):1.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,2.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@50uA;栅极电荷(Qg@Vgs):31nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.034nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):75pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ0910ND | Infineon Technologies | 类型:2个N沟道(半桥);漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.7mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.2nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):590pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):21pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ088N03LS G | Infineon Technologies | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7.5nC@0~4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.3nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQT1N80TF-WS | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):200mA;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15.5Ω@10V,0.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):160pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA9P25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):10.5A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,5.25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):910pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):27pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDS2734 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):350V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):97mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.96nF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):26pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDPF33N25TRDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):37W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):77mΩ@10V,16.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.64nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):39pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB3652-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):61A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,61A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):41nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.88nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF9P25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):910pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):27pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86581 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):881pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
