找到“3140UA”相关的规格书共5,804个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HYG032N03LR1C1 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):23W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.872nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):277pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG016N04LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):240A;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.894nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):53pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG060P04LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):63nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):6.774nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):403pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FHS80N07A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):73nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):270pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003E1D | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.3A;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@200mA,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N60FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):590pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003F1D | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@200mA,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003E1D-BD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.3A;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@200mA,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM2601PSG | Agertech | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):860mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@4.5V,2.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):3.3nC@2.5V;输入电容(Ciss@Vds):405pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4612DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD7N50E(BHB) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):530V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):750pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD40N04(ADE) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):944pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD60N08(AGF) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.498nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):80pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF5P20RDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):3.4A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,1.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):330pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):12pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJE3303H1TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@500mA,2V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA2126-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):260mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):390MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA2126-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):260mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):390MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86550ET60 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):245A;功率(Pd):187W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,32A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):90nC@8V;输入电容(Ciss@Vds):8.235nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86252L | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@10V,4.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.335nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):3pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC6094-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):90mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@100mA,2V;特征频率(fT):390MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
