| BU406T1TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@2A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SM4184T9RL | Sourcechips | | | | 获取价格 |
| SM3416SRL | Sourcechips | MOSFETs N-沟道 VDS=20V ID=6.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V,6.5A SOT23 | | | 获取价格 |
| SM9926PRL | Sourcechips | SM9926PRL | | | 获取价格 |
| SM6442D1RL | Sourcechips | 40V/32A单N功率MOSFET | | | 获取价格 |
| SM4146T9RL | Sourcechips | 30V/55A单N功率MOSFET | | | 获取价格 |
| SM2910T9RL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A; | | | 获取价格 |
| SM4185T9RL | Sourcechips | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.5mΩ; | | | 获取价格 |
| 2N3773T3BL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):16A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):4V@16A,3.2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@8A,4V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SMIRF5N65T1TL | Sourcechips | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| TIP41CT1TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SM418T9RL | Sourcechips | | | | 获取价格 |
| BU406DT9TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@5A,800mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@2A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SM4435PRL | Sourcechips | SM4435PRL | | | 获取价格 |
| SM4805PRL | Sourcechips | SM4805PRL | | | 获取价格 |
| SM454AT9RL | Sourcechips | SM454AT9RL | | | 获取价格 |
| SM4485PRL | Sourcechips | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.1W SOP8_150MIL | | | 获取价格 |
| MN638SVL-RPT0TL | Sourcechips | | | | 获取价格 |
| SMIRF8N60T1TL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.16nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SMIRF12N65T1TL | Sourcechips | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
