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BC857CYONGYUTAIBC857C获取价格
BZT52C6V2YONGYUTAIBZT52C6V2获取价格
MMBT4401YONGYUTAIMMBT4401获取价格
BZT52C3V3TYONGYUTAIBZT52C3V3T获取价格
BAS316YONGYUTAIBAS316获取价格
2SC3356YONGYUTAI2SC3356获取价格
AMS1117-2.5YONGYUTAI1A的三端輸出低壓差線性穩壓器获取价格
2SK3018YONGYUTAIN沟道MOSFET获取价格
XC6206-3.3VYONGYUTAI1 Fixed 6V 3.3V~3.3V -40℃~+85℃ 250mA Positive SOT-23-3L获取价格
S9018YONGYUTAISOT-23 15V 50mA获取价格
MMBT3904YONGYUTAISOT-23获取价格
BCP56-16YONGYUTAI三极管(BJT)获取价格
DL5237BYONGYUTAI获取价格
5N10YONGYUTAI获取价格
B772YONGYUTAI晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2SB1132YONGYUTAI晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
MMBTA42YONGYUTAI晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;集电极截止电流(Icbo):80nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@30mA,3mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
S9014(300-400)YONGYUTAI获取价格
1N4007W 42MILYONGYUTAI整流二极管 IR=5µA IF=1A SOD123FL获取价格
1N4007 SOD-123FLYONGYUTAI整流二极管 Vr=1kV Io=1A Vf=1.1V@1A Ir=5uA@1kV获取价格