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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
HSS6014HUASHUO SEMICONDUCTORHSS6014获取价格
FDN338PHUASHUO SEMICONDUCTORFDN338P获取价格
HSM4113HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):7.5A 功率(Pd):3.1W获取价格
HSM4115HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):8.7A 功率(Pd):1.5W获取价格
HSU6032HUASHUO SEMICONDUCTORN沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):41W获取价格
HSM6115HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):5W获取价格
HSU0139HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):102W获取价格
HSL2P25HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道,250V/2A4R获取价格
HSL3P20HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道,200V/3A2.4R获取价格
HSU6115HUASHUO SEMICONDUCTORP-Ch 60V快速开关MOSFET获取价格
HSS2012HUASHUO SEMICONDUCTOR获取价格
HSM1564HUASHUO SEMICONDUCTORHSM1564获取价格
HSBB3105HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):37W获取价格
HSM0204HUASHUO SEMICONDUCTORHSM0204获取价格
HSH6117HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,18A;获取价格
IRLML2502HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA;获取价格
HSS2301CHUASHUO SEMICONDUCTOR类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.9A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;获取价格
HSS2308AHUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A;获取价格
FDN335NHUASHUO SEMICONDUCTOR漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A;栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA;漏源导通电阻:60mΩ @ 2.5A,4.5V;最大功率耗散(Ta=25°C):0.71W;类型:N沟道;获取价格
HSW2N15HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):350pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格