| HSS6014 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | HSS6014 | | | 获取价格 |
| FDN338P | HUASHUO SEMICONDUCTOR | FDN338P | | | 获取价格 |
| HSM4113 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):7.5A 功率(Pd):3.1W | | | 获取价格 |
| HSM4115 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):8.7A 功率(Pd):1.5W | | | 获取价格 |
| HSU6032 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):41W | | | 获取价格 |
| HSM6115 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):5W | | | 获取价格 |
| HSU0139 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):102W | | | 获取价格 |
| HSL2P25 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道,250V/2A4R | | | 获取价格 |
| HSL3P20 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道,200V/3A2.4R | | | 获取价格 |
| HSU6115 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P-Ch 60V快速开关MOSFET | | | 获取价格 |
| HSS2012 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | | | | 获取价格 |
| HSM1564 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | HSM1564 | | | 获取价格 |
| HSBB3105 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):37W | | | 获取价格 |
| HSM0204 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | HSM0204 | | | 获取价格 |
| HSH6117 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,18A; | | | 获取价格 |
| IRLML2502 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | | | 获取价格 |
| HSS2301C | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.9A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | | | 获取价格 |
| HSS2308A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A; | | | 获取价格 |
| FDN335N | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A;栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA;漏源导通电阻:60mΩ @ 2.5A,4.5V;最大功率耗散(Ta=25°C):0.71W;类型:N沟道; | | | 获取价格 |
| HSW2N15 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):350pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |