| IPS6008-05U | IPS[IPSEMICONDUCTORCO.,LTD.] | IPS6008-05U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. | | | 获取价格 |
| CS4N80FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):865pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| CS4N65A8HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| CS4N65A3HD1-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| CS2837AND | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):230W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):260mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| CS10N70FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| CD7378CZ | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 功放类型:-;输出功率:-; | | | 获取价格 |
| 3DD13009A8 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):450mV@8A,1.6A;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| CS15N50FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| GN10N65A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):21.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.42nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| CS5N20A3 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,2.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| CS13N50FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| CS4N80A3HD-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | | | | 获取价格 |
| 3DD13005GRD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN(集电极发射极结二极管);集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@2A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| CS5N60FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD13005C7D | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@2A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HGE055NE4A | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| CV203DCZ | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 功放类型:-;输出功率:-; | | | 获取价格 |
| CS730A3RD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | | | | 获取价格 |
| CF4558GP | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | | | | 获取价格 |
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