找到“ID8155”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMC8554 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):16.5A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,16.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDD8424H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| FDB9506L-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| TSD840MD | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| 2N60G-CB-AA3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3215B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4504B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):288W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,125A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3312B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):278W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,65A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HYG035N10NS2B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| ES15N10G | ElecSuper | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,15.0A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHS150N1F4A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IPB530N15N3 G | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| SE80160G | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHS110N8F5A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):157W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRSS046N08N | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):189W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.6mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL2309 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL165R18 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,11A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSGE10R042 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| LSE55R140GT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):23A;功率(Pd):205W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,11.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPB80N06S2L-07 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.7mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@150uA; | 获取价格 |
