找到“INA2143UA”相关的规格书共5,925个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HSP18N20 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 漏源电压（Vdss）:200V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:18A;栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:170mΩ @ 9A,10V;最大功率耗散（Ta=25°C）:83W;类型:N沟道; | 获取价格 | ||
| IRFBE30PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCE65T360 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDP7N60NZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6.5A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.25Ω@10V,3.25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| KIA2N60HP | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):55.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| RU75150R | Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):148A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| KNP9120A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):125mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRF820PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):2.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,1.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| UT100N03L-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| JCS3205CH-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE100130GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):176W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY1720P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):64A;功率(Pd):263W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4504P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):288W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,125A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY045N10P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):221W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPP041N04N G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@45uA; | 获取价格 | ||
| IPP072N10N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@90uA; | 获取价格 | ||
| SE40160A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,16A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE60210GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE10060A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):170W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE80160GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
