找到“INA2143UA”相关的规格书共5,925个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| 3DD13007X1 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@5A,1A;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES5ACG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@50V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ESN7401 | ElecSuper | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-29A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.0mΩ@10V,-29A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@250uA P沟道,-30V,-32A,11.0mΩ@-10V | 获取价格 | ||
| F2GF | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES1JB | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES1DB | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR257 | YFSEMI | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2.5A;正向压降(Vf):1.3V@2.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003E1D-92-FJ | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):7@1.5A,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13007K-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@8A,2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@2A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HDF560N | HL | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):700V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):2.1V@5A;反向电流(Ir):5uA@700V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP30E65D1 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:143W;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):60A;正向压降(Vf):1.7V@30A;反向电流(Ir):40uA@650V;反向恢复时间(trr):95ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tvj); | 获取价格 | ||
| 74LV1T87GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74LV;逻辑类型:异或非门;通道数:1;电源电压:1.6V~5.5V;静态电流(最大值):1uA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟:5.1ns@5V,30pF; | 获取价格 | ||
| 74LVC1G386GV,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74LVC;逻辑类型:异或门;通道数:1;电源电压:1.65V~5.5V;静态电流(最大值):4uA;灌电流(IOL):32mA;拉电流(IOH):32mA;最大传播延迟:5.5ns@5V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74AUP1T04GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AUP;输入类型:施密特触发器;通道数:1;电源电压:2.3V~3.6V;电源电流(最大值):1.2uA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟(tpd):6.9ns@3.3V,30pF; | 获取价格 | ||
| 74LVC2G38GXX | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74LVC;逻辑类型:与非门;通道数:2;电源电压:1.65V~5.5V;静态电流(最大值):4uA;灌电流(IOL):32mA;拉电流(IOH):32mA;最大传播延迟:4.2ns@5V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74AHCT1G00GW,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AHCT;逻辑类型:与非门;通道数:1;电源电压:4.5V~5.5V;静态电流(最大值):1uA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟:7.9ns@5V,50pF; | 获取价格 | ||
| DM6W20A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):20V;击穿电压(最小值):22.2V;击穿电压(最大值):24.5V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:142A;最大钳位电压:32.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM8W36AQ-13 | Diodes Incorporated | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):36V;击穿电压(最小值):40V;击穿电压(最大值):44.2V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:114A;最大钳位电压:58.1V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:6.6kW; | 获取价格 | ||
| DM6W30A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):30V;击穿电压(最小值):33.3V;击穿电压(最大值):36.8V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:95A;最大钳位电压:48.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| FHD70-ME | GUANGDONG FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY HOLOING CO.,LTD. | 二极管配置:1对共阴极;功率:225mW;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):2.5uA@70V;反向恢复时间(trr):6ns; | 获取价格 |
