找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SD24C | MDD辰达半导体 | Uni PD=350W VRWM=24V VBR=26.7V VC=52V IPP=7A IR=1uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| BZT52C6V8 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6.8V 稳压值(范围)：6.4V~7.2V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@3.5V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| 1N5256B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：30V 稳压值(范围)：28.5V~31.5V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@23V 阻抗(Zzt)：49Ω 30V 0.5W | 获取价格 | ||
| MMBZ18VAL | MDD辰达半导体 | Bi PD=40W VRWM=14.5V VBR=18V VC=25V IPP=1.6A IR=0.05uA CJ=-PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ESD0524P | MDD辰达半导体 | Uni PD=50W VRWM=5V VBR=6V VC=10V IPP=1A IR=1uA CJ=0.5PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| S3MBF | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 1000V,3A | 获取价格 | ||
| US5M | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：1.7V@5A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| 1SS226 | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V | 获取价格 | ||
| ESD05D6BU | MDD辰达半导体 | Bi PD=100W VRWM=5V VBR=6V VC=25V IPP=4A IR=0.1uA CJ=0.25PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1SS400 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V | 获取价格 | ||
| SMAFJ40CA | Jingdao | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：40V 击穿电压(最小值)：44.4V 击穿电压(最大值)：49.1V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：6.2A 最大钳位电压：64.5V | 获取价格 | ||
| 1N4746A | Tak Cheong Electronics(Holdings)Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@13.7V 阻抗(Zzt)：20Ω 18V 1W | 获取价格 | ||
| 1SS355 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| SD36 | MDD辰达半导体 | Uni PD=350W VRWM=36V VBR=40V VC=75V IPP=5A IR=1uA CJ=60PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| IRM-56384 | Everlight Electronics Co Ltd | IRM-56384 器件为微型红外线已利用最新的IC技术进行开发和设计。 PIN二极管和前置放大器组装在引线框架上，环氧树脂封装设计为IR滤波器。 | 获取价格 | ||
| 1N5817W | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：450mV 3A 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：1mA 20V | 获取价格 | ||
| US1M | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| ZMM5232B_R1_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置：独立式 稳压值(最小值)：5.32V 稳压值(标称值)：5.6V 稳压值(最大值)：5.88V 功率：500mW 反向电流(Ir)：5μA@3V 阻抗(Zzt)：11Ω | 获取价格 | ||
| BZX84C24 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 稳压值(最小值)：22.8V 稳压值(标称值)：24V 稳压值(最大值)：25.6V 精度：- 功率：350mW 反向电流(Ir)：50nA@16.8V 阻抗(Zzt)：70Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C8V2 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：8.2V 稳压值(范围)：7.7V~8.7V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@5V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 |
