找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FR204 | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF24 | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):950mV@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HER203 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1V@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PH1N4148TB | T&C Technology | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):25nA@20V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+200℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES3G | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.25V@3A;反向电流(Ir):1uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KIA08TB70DD | KIA | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):700V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.8V@8A;反向电流(Ir):25uA@600V;反向恢复时间(trr):30ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Tak Cheong Electronics(Holdings)Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4148 | GOOD-ARK | 二极管配置：独立式 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| ES2K | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.85V@2A 反向电流(Ir)：5μA@800V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAV74,235 | Nexperia | 二极管配置：1对共阴极 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@50V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMBD7100,215 | Nexperia | 二极管配置：1对共阴极 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| IR26-51C--L110--TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | .IR26-51C/L110/TR8是一款采用微型SMD封装的红外发射二极管，采用水透明塑料模制而成，带有球面顶视图透镜。该器件与硅光电二极管和光电晶体管在光谱上匹配。 | 获取价格 | ||
| ES2EBF | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.25V@2A 反向电流(Ir)：5μA@300V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS2B | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.3V@2A 反向电流(Ir)：5μA@100V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES2KB | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.7V@2A 反向电流(Ir)：5μA@800V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES5BBF | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：1V@5A 反向电流(Ir)：10μA@100V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4448W | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| RS2MBG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.3V@2A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES3DCG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES2JBG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.68V@2A 反向电流(Ir)：5μA@600V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 |
