1 | 24.243.1 | | 下载 | Changzhou Amass Electronics Co., Ltd. |
2 | 292230-8 | 表面贴装型 8 位置 0.059"(1.50mm) | 下载 | TE Connectivity Ltd |
3 | 2220PC105KAT1A | 1 µF ±10% 250V 陶瓷电容器 X7R 2220(5750 公制) | 下载 | AVX Corporation |
4 | 22205C105KAT1A | 1 µF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 2220(5750 公制) | 下载 | AVX Corporation |
5 | 2220GC273KAZ1A | 0.027 µF ±10% 2000V(2kV) 陶瓷电容器 X7R 2220(5750 公制) | 下载 | AVX Corporation |
6 | 2SC1008-TA | | 下载 | Rubycon Corporation |
7 | 2S40000063 | 频率:40MHz;频率公差:±10ppm;频率稳定度:±10ppm;负载电容:14pF; | 下载 | YL |
8 | 2SC2383P-Y-TP | - | 下载 | Micro Commercial Components |
9 | 2RM150M-8 | 陶瓷气体放电管(GDT) 150V 10KA | 下载 | Brightking |
10 | 2N6520 | | 下载 | Rubycon Corporation |
11 | 2SD1760 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Rubycon Corporation |
12 | 2SC3303 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(V... | 下载 | Rubycon Corporation |
13 | 2SD1899 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(... | 下载 | Rubycon Corporation |
14 | 2SA1012 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
15 | 2SD1802 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(V... | 下载 | Rubycon Corporation |
16 | 2SB649AG-C-AB3-R | 双极功率通用晶体管 SOT89 160V 1.5A 0.5W | 下载 | Unisonic Technology Co., Ltd. |
17 | 2SC4548 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-... | 下载 | Rubycon Corporation |
18 | 2SB1189 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发... | 下载 | Rubycon Corporation |
19 | 2SD2150R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |
20 | 2SB806 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |