1 | 2N7002K | Type(N)/ESD(Y)/VDS20(V)/VGS10(±V)/VGS(th)1.2(V)/ID6.5(A) | 下载 | EIC |
2 | 2N7002BKVL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):350mA;功率(Pd):370mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,50... | 下载 | Rubycon Corporation |
3 | 2N7002NXAKR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):190mA;300mA;功率(Pd):265mW;1.33W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,I... | 下载 | Rubycon Corporation |
4 | 2V7002LT1G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
5 | 2N7002K | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):320mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
6 | 2PD602ARL,215 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@15... | 下载 | Rubycon Corporation |
7 | 2N7002E-VB | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT-23 | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
8 | 2333 | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | 下载 | Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd. |
9 | 2SC3356G-B-AE2-R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极... | 下载 | Unisonic Technology Co., Ltd. |
10 | 2N3906TAR | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
11 | 2N3904TAR | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
12 | 2EZ19D5 | 二极管 - 齐纳 19 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41) | 下载 | Microchip Technology Inc. |
13 | 2EZ91D5 | 二极管 - 齐纳 91 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41) | 下载 | Microchip Technology Inc. |
14 | 2EZ19_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
15 | 2EZ27_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
16 | 2EZ11_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
17 | 2EZ47_R2_00001 | 二极管 - 齐纳 47 V 2 W ±5% 通孔 DO-15 | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
18 | 2N6486 TIN--LEAD | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 15 A 5MHz 1.8 W 通孔 TO-220-3 | 下载 | Central |
19 | 2SC2073 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极... | 下载 | Rubycon Corporation |
20 | 2SD880 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Rubycon Corporation |