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序号器件名产品描述数据手册生厂商
12N7002KType(N)/ESD(Y)/VDS20(V)/VGS10(±V)/VGS(th)1.2(V)/ID6.5(A)下载EIC
22N7002BKVL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):350mA;功率(Pd):370mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,50...下载Rubycon Corporation
32N7002NXAKR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):190mA;300mA;功率(Pd):265mW;1.33W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,I...下载Rubycon Corporation
42V7002LT1G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
52N7002K类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):320mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
62PD602ARL,215晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@15...下载Rubycon Corporation
72N7002E-VBMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT-23下载VBsemi Electronics Co. Ltd
82333类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;下载Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd.
92SC3356G-B-AE2-R晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极...下载Unisonic Technology Co., Ltd.
102N3906TAR晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
112N3904TAR晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
122EZ19D5二极管 - 齐纳 19 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)下载Microchip Technology Inc.
132EZ91D5二极管 - 齐纳 91 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)下载Microchip Technology Inc.
142EZ19_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
152EZ27_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
162EZ11_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
172EZ47_R2_00001二极管 - 齐纳 47 V 2 W ±5% 通孔 DO-15下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
182N6486 TIN--LEAD晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 15 A 5MHz 1.8 W 通孔 TO-220-3下载Central
192SC2073晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极...下载Rubycon Corporation
202SD880晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和...下载Rubycon Corporation