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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1CMD04N03类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ;下载Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd.
2CMB5970类型:P沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ;下载Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd.
3CMD1402类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ;下载Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd.
4CMD40N15类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ;下载Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd.
5CMD4003类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):27A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ;下载Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd.
6C312E225K9SC000下载XIAMEN FARATRONIC CO., LTD.
7CJU12P06下载Rubycon Corporation
8CS100N03B4类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,5...下载Wuxi China Resources Microelectronics Limited
9CJK3400AH类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):450mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,5...下载Rubycon Corporation
10CMN2305M-VB类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@4.5V,5A;阈值电...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
11CJL2013类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.2mΩ@4.5V,3A...下载Rubycon Corporation
12CJL3415类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,4A...下载Rubycon Corporation
13CJL2623类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@10V,...下载Rubycon Corporation
14CT3021(S)(T1)可控硅类型:双向可控硅;正向电压:1.5V;正向电流:60mA;断态峰值电压(Vdrm):400V;静态dv/dt:100V/us;输出电流(It(rms)):-;下载CT Micro
15CMOD4448 TR PBFREEDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523下载Central
16CMOZ27V TR PBFREE二极管 - 齐纳 27 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523下载Central
17CMOZ3V3 BK PBFREEDIODE ZENER 3.3V 300MW SOD523下载Central
18CQ06W4F1004T5E下载Uniohm
19CI5105P1HPJ参考系列:CH;间距:3.96mm;插针结构:1x5P;排数:1;每排PIN数:5;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:-;工作温度范围:-;下载CVILUX CORPORATION
20CN3781下载Shanghai Consonance Electronics Incorporated