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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1FWF12504-S02B24W5M下载TXGA
2FP0705R1-R18-R180 nH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 43 A 0.25 毫欧 非标准下载Eaton
3FR107G正向压降(Vf):1.3V @ 1A;反向恢复时间(trr):500ns;平均整流电流(Io):1A;直流反向耐压(Vr):1kV;二极管配置:-;下载DIYI ELECTRONIC
4FDB86363-F085类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,80A...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
5FSC-BW121蓝牙+WiFi模组,2.4g+5g频段下载Shenzhen Feasycom Co.,Ltd
6FXLA0630-100M功率电感 10μH ±20% 4.5A SMD下载Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd.
7FRC0402F3481TS下载FOJAN Resistor
8FZT853下载Diodes Incorporated
9FZT751下载Diodes Incorporated
10FZ330UF50V90RV0142下载KNSCHA
11FQD2N100TM类型:N沟道;下载Guangzhou Tokmas Electronics Co., LTD
12FQD17P06TM此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
13FQD17P06-VB下载VBsemi Electronics Co. Ltd
14FH3060D漏源电压(Vdss):30V;下载Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd.
15FH1607D漏源电压(Vdss):68V;下载Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd.
16FDD8770-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):65A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@4.5V,65A;下载VBsemi Electronics Co. Ltd
17FOC-817C输入电压类型:-;输出通道数:-;正向电压:-;反向电压:-;输出电流:-;接收端电压:-;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):-;隔离电压(rms):...下载NATIONSTAR
18FS56X105K501EGG容值:1uF;精度:±10%;额定电压:500V;材质(温度系数):X7R;下载Prosperity Dielectrics Co., Ltd
19FRC1206F1401TS贴片电阻 1206 1.4KΩ ±1% 1/4W ±100ppm/℃下载FOJAN Resistor
20FH6880A下载Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd.