0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
序号器件名产品描述数据手册生厂商
1IRFBE30PBF类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,2.5...下载Infineon Technologies
2IRF820PBF类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):2.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,1.5A...下载Infineon Technologies
3IPP041N04N G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,80A...下载Infineon Technologies
4IPP072N10N3 G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,8...下载Infineon Technologies
5IPP024N06N3 G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,1...下载Infineon Technologies
6IPP015N04N GMosfet, N Channel, 40V, 120A, To-220-3; Channel Type:n Channel; Drain Source Volta...下载Infineon Technologies
7IRFR9120NTRPBF-VB类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):8.8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,8.8...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
8IPD50R1K4CE类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;...下载Infineon Technologies
9IPD65R400CE类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):15.1A;功率(Pd):118W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V...下载Infineon Technologies
10IPD60R180P7类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,5....下载Infineon Technologies
11IL1117C-ADJD0T下载IK Semicon Co., Ltd.
12IK402U下载IK Semicon Co., Ltd.
13ICL7662CBA+T充电泵 开关稳压器 IC 负 固定 -Vin 1 输出 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)下载Analog Devices Inc.
14IXTY02N50D-TRLMOSFET N-CH下载IXYS Integrated Circuits Division
15IXFH150N25X3HVMOSFET N-CH下载IXYS Integrated Circuits Division
16IRM-V838M3-C--TR1下载Everlight Electronics Co Ltd
17IW1799-02下载Dialog Semiconductor lnc.
18IHLP7575GZERR56M51560 nH 屏蔽 模制 电感器 61 A 1.09 毫欧最大 非标准下载Vishay Intertechnology, Inc.
19IHDM1008BCEV1R2M3A1.2 µH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 80 A 0.3毫欧最大 非标准下载Vishay Intertechnology, Inc.
20IWAS4832AEEB120KF11 个线圈,1 层 12µH 无线充电线圈 接收器 200 毫欧最大下载Vishay Intertechnology, Inc.