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找到PD42-3-1241相关的规格书共11,338
型号厂商描述数据手册替代料参考价格
BZV55C2V4 L0GTAIWAN SEMICONDUCTOR台半 MINI MELF Zzk: 600Ω Pd: 500mW Izk: 1mA获取价格
HSM4113HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):7.5A 功率(Pd):3.1W获取价格
HSM4115HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):8.7A 功率(Pd):1.5W获取价格
HSU6032HUASHUO SEMICONDUCTORN沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):41W获取价格
HSM6115HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):5W获取价格
HSU0139HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):102W获取价格
AOD2910Alpha & Omega Semiconductor(AOS)100V N沟道MOSFET TO252 ID=31A PD=53.5W获取价格
BZT52B24SYangjie Electronic Technology Co., Ltd.SOD323-2,PD=200mW,VF=0.9V,Vr=18V, Ir=0.1μA获取价格
2SD1005 V(135-270)Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., LtdNPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW获取价格
2SC5658Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., LtdPNP 集射极击穿电压(Vceo):32V 集电极电流(Ic):0.8A 功率(Pd):200mW获取价格
2SB1386 R(180-390)Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., LtdPNP 集射极击穿电压(Vceo):20V 集电极电流(Ic):5A 功率(Pd):500mW获取价格
LNG5N50Lonten Semiconductor Co.,LtdN沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):75W获取价格
WSP8205AWinsok power Semiconductor CO., LTD2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.5A 功率(Pd):1.25W获取价格
WSD2075DNWinsok power Semiconductor CO., LTDP沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):36A 功率(Pd):23W获取价格
79L12CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED三端负电压调节器 Io=0.1A Vo=-12V Pd=0.5W获取价格
NCE30H10WUXI NCE POWER CO., Ltd.N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):110W TO220-3L获取价格
ZM4736ASLKORMICRO Electronics Co., Ltd硅平面齐纳二极管Vz=6.8V Pd=1W LL41获取价格
ZM4744ASLKORMICRO Electronics Co., Ltd硅平面齐纳二极管Vz=15V Pd=1W LL41获取价格
ZM4737ASLKORMICRO Electronics Co., Ltd硅平面齐纳二极管Vz=7.5V Pd=1W LL41获取价格
ZM4734ASLKORMICRO Electronics Co., Ltd硅平面齐纳二极管Vz=5.6V Pd=1W LL41获取价格