找到“TL287ID”相关的规格书共13,883个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HFS10N65U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):980mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY0C20C | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@4.5V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4903B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):314A;功率(Pd):268W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7mΩ@10V,150A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY029N10B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):270A;功率(Pd):394.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY029N10B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HY3704P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):176A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.6mΩ@10V,88A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4903P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):290A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,145A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHU2N60A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP15N60A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):180W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP75N100A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):195W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHD100N03A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):39W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP10N65A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):156W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHF10N65B | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHF8N60A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.3Ω@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS2N60FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):24W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS8N60FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS2N65A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS20N50A8H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):230W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS7N80FA9 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS10N65FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
