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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK7M6R3-40EX | Nexperia | MOS管 N-channel Id=70A VDS=40V SOT1210 | 获取价格 | ||
| BUK9M42-60EX | Nexperia | MOS管 N-channel Id=22A VDS=60V SOT1210 | 获取价格 | ||
| RHP030N03T100 | Rohm Semiconductor | MOSFETs VDS=30V ID=3A N-Channel SOT89-3 | 获取价格 | ||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8 | 获取价格 | ||
| IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel VD=55V ID=3.1A SOT223 | 获取价格 | ||
| BUK98180-100A/CUX | Nexperia | MOS管 N-channel Id=4.6A VDS=100V SOT223 | 获取价格 | ||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SOT23 N沟道 VDDS=240V ID=110mA | 获取价格 | ||
| SI2329DS-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | MOSFETs P-Channel VDS=8V VGS=±5V ID=6A SOT23 | 获取价格 | ||
| NCEP60T12AK | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2 | 获取价格 | ||
| AOD407 | VBsemi Electronics Co. Ltd | P通道60-V（D-S）MOSFET ID=30A PD=34W TO252 | 获取价格 | ||
| FDS4435BZ | VBsemi Electronics Co. Ltd | P沟道30-V（D-S）MOSFET ID=9A PD=4.2W SOIC8 | 获取价格 | ||
| BM2300 | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | N沟道MOSFET VDS=20V ID=3.6A SOT23 | 获取价格 | ||
| LSI1012N3T5G | Leshan Radio Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW | 获取价格 | ||
| LN2324DT2AG | Leshan Radio Co., Ltd. | MOS管 N-channel Id=14A VDS=20V DFN2020-6S | 获取价格 | ||
| DMG2305UXQ-7 | NIHON INTER ELECTRONICS CORP | P沟道增强型MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±8V ID=4.2A | 获取价格 | ||
| YJL03N06A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | N-Channel VDS=60V ID=3A RDS(on)=120mΩ@VGS=4.5V | 获取价格 | ||
| AO4435 | Alpha & Omega Semiconductor（AOS） | MOS P-Channel VDS=30V ID=10.5A PD=3.1W | 获取价格 | ||
| HSH15810 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：227W | 获取价格 | ||
| HSBB6056 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：27.8W | 获取价格 | ||
| HSP80P10 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：210W | 获取价格 |
