找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5408 | Changzhou Starsea Electronic Co., Ltd | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：5uA@1kV | 获取价格 | ||
| SI2301 | KUU SEMICONDUCTOR | SOT-23场效应晶体管 20V 2.2A 700mW 90mΩ@4.5V,1.5A 0.62V@250uA | 获取价格 | ||
| 1N5408 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.2V@3A 反向电流(Ir)：5uA@1kV | 获取价格 | ||
| SM15C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=15V VBR=16.7V VC=38V IPP=10A IR=1uA CJ=68PF | 获取价格 | ||
| SD03C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=3.3V VBR=4V VC=13V IPP=20A IR=40uA CJ=450PF | 获取价格 | ||
| 1SMA4744A | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.3V~15.8V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@11.4V 阻抗(Zzt)：14Ω | 获取价格 | ||
| GBLC24C | MDD辰达半导体 | Bi PD=300W VRWM=24V VBR=26.7V VC=56V IPP=3A IR=1uA CJ=0.8PF | 获取价格 | ||
| ESD5Z3V3 | MDD辰达半导体 | Uni PD=158W VRWM=3.3V VBR=5V VC=14.1V IPP=11.2A IR=0.9uA CJ=105PF | 获取价格 | ||
| BAW56 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 70V +150℃@(Tj) 225mW 1 Pair Common Anode 1.25V@150mA 6ns 2.5uA@75V 200mA SOT-23 | 获取价格 | ||
| HEF4541BT,512 | Nexperia | 类型：可编程计时器 频率：36MHz 工作电压：4.5V~15.5V 工作电流：500uA 工作温度：-40℃~+85℃ | 获取价格 | ||
| DL4733A_R1_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 齐纳/稳压二极管 独立式 10uA@1V 7Ω Single 4.85V~5.36V 1W 5.1V DL-41 | 获取价格 | ||
| ESD5Z12V | MDD辰达半导体 | Uni PD=174W VRWM=12V VBR=14.1V VC=29V IPP=6A IR=0.02uA CJ=35PF | 获取价格 | ||
| 1SMA4733A | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.1V 稳压值(范围)：4.8V~4.9V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：10uA@1V 阻抗(Zzt)：7Ω | 获取价格 | ||
| AO3400A | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | N沟道增强型MOSFET 30V 5.8A 29mΩ@10V,5.8A 1.4W 1.4V@250uA N Channel SOT-23 | 获取价格 | ||
| SS54-MS | Mason semiconductor | Single IAV=5A IR=200uA@40V VF=550mV@5A VRRM=40V DO-214AC 二极管-通用ROHS | 获取价格 | ||
| SC4215ASTRT | SEMTECH | 线性稳压器/LDO 2A 50uA 600mV@2A -40℃~+125℃@(Tj) 0.5V~3.8V SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| DS18B20 | Guangzhou Xingyi Electronic Technology Co., Ltd | 测量范围：-55℃~125℃ 测量精度：±0.5℃ 测量时间：750ms 工作电压：3.0V~5.5V 工作电流：0.75uA~1.5mA | 获取价格 | ||
| AT6558R-5N32 | Hangzhou Icofchina Microelectronics Co., Ltd. | 2.7~3.6V或1.8V~3.3V，BDS/GPS 双模连续运行：23mA@3.3V。待机：8uA（@3.3V） | 获取价格 | ||
| SS34-MS | Mason semiconductor | IR=500uA@40V VRRM=40伏 IAV=3A VF=550mV@3A SMA（DO-214AC）肖特基势垒二极管（SBD）ROHS | 获取价格 | ||
| SSM3J334R,LF(T | TOSHIBA CORPORATION | VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS | 获取价格 |
