找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SE60210GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE10060A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):170W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE80160GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| GC11N70T | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):395mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDP52N20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):52A;功率(Pd):357W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,26A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCEP01T11 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):108A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| LNC04R035B | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| PDTC124EU,115 | Rubycon Corporation | 60@5mA,5V 150mV@10mA,500uA 1 NPN - Pre Biased 230MHz 200mW 100mA 50V 100nA SOT-323-3 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| HSSN3139 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):630mΩ@4.5V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| NTS4001NT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):270mA;功率(Pd):330mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4V,10mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@100uA; | 获取价格 | ||
| 2N7002W | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| 2N7002WT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):310mA;功率(Pd):280mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSU4016 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):52.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPD65R400CE | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):15.1A;功率(Pd):118W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@320uA; | 获取价格 | ||
| TPD65R940C | Wuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):28W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| AP9T16AGH-HF | APEC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):19.5A;功率(Pd):12.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| SW6N80 | SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):113.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| SM1A23NSUC-TRG | Sinopower Semiconductor, Inc | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| JST60N30T2 | JESTEK | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRSD082N10L2 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):78A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.6mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA; | 获取价格 |
