找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| PDTC144VT,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@5mA,5V; | 获取价格 | ||
| 2SC3356G-B-AE2-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@20mA,10V;特征频率(fT):7GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| R2M | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SODSF16-SH | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.25V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FFMAF203 | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR304G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):2.5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MUR1660CD | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):16A;正向压降(Vf):1.45V@8A;反向电流(Ir):10uA@600V;反向恢复时间(trr):25ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF14G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR204 | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF24 | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):950mV@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HER203 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1V@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| LM385BZ-2.5G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 电压基准类型:并联;输出类型:固定;输入电压:-;输出电压:2.5V;输出电流:20mA;精度:±1.5%;温度系数:80ppm/℃;静态电流:-;最小阴极电流调节:30uA;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):120uVrms;工作温度:0℃~+70℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| DTA114YE-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)：1.4V@1mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)：300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii)：300mV@5mA,0.25mA | 获取价格 | ||
| KL817S1-C-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817-A-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817M-B-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817-C-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-C-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-B-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL816M-C | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 |
