找到“UGS3130UA”相关的规格书共5,914个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SF38 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.7V@3A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MBRB20200CTH-TP | Micro Commercial Components | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):900mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V; | 获取价格 | ||
| FR204 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SSP7615-28M5R | Siproin | 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：7V 输出电压：1.2V~5V 静态电流(地电流)：0.5μA 输出电流：400mA 0.5uA超低静态功耗,400mA电流输出稳压LDO | 获取价格 | ||
| LSH70R450GT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBFB1208N | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):145W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBFB1104N | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBFB16R04 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBFB2317 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSP18N20 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 漏源电压（Vdss）:200V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:18A;栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:170mΩ @ 9A,10V;最大功率耗散（Ta=25°C）:83W;类型:N沟道; | 获取价格 | ||
| IRFBE30PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCE65T360 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDP7N60NZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6.5A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.25Ω@10V,3.25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| KIA2N60HP | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):55.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| RU75150R | Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):148A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| KNP9120A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):125mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRF820PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):2.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,1.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| UT100N03L-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| JCS3205CH-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE100130GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):176W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
