找到“UGS3130UA”相关的规格书共5,914个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| UF740L-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,5.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| RU8590R | Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| JCS650C-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):158W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE80100GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| KIA75NF75 | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):240W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 12N60L-TF2-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRF9Z34N | Infineon Technologies | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRFBC40PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6.2A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FQP33N10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):127W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,16.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 8070.0 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):88A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDP39N20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):39A;功率(Pd):251W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):66mΩ@10V,19.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDP8440 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):306W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3906P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):220W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,95A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| BR40P03 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):80W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,24A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP2N60E | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| TSP10N60M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):162W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| TSP8N60M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):7.5A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSS816NWH6327 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@2.5V,1.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@3.7uA; | 获取价格 | ||
| CJ3134KW | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSU3006 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):53W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 |
