找到“UGS3130UA”相关的规格书共5,914个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MMSZ5V1BW | T&C Technology | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):5.1V;稳压值(范围):5V~5.2V;精度:±2%;功率:500mW;反向电流(Ir):1.8uA@2V;阻抗(Zzt):60Ω; | 获取价格 | ||
| MMSZ5238B | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):8.7V;稳压值(范围):8.27V~9.14V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):3uA@6.5V;阻抗(Zzt):8Ω; | 获取价格 | ||
| MM1Z43 | Jingdao | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):43V;稳压值(范围):40V~46V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2uA@33V;阻抗(Zzt):130Ω; | 获取价格 | ||
| CJA9451 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):135mΩ@4.5V,2.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| KO3400 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,5.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE30P12D | SINO-IC | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| RD-RS07D | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FF7 | GOOD-ARK | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DS1302DTR | Shenzhen Xinbole Electronics Co., Ltd. | 带31字节非易失性静态RAM的串行实时时钟芯片，单字节或多字节（突发模式）串行IO最小引脚计数，工作电压（Vcc）(v) 2.5~5.5V，静态电流Iq(mA)（Max） 25uA | 获取价格 | ||
| KIRLML5203TRPBF | KUU SEMICONDUCTOR | P沟道30-V（D-S）-30V -3A 98Ω@10V,3A 1.25W 2.5V@250uA 43pF@15V P Channel 510pF@15V 9.5nC@10V +150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| BZT52C3V0S-W2 | MDD辰达半导体 | 稳压值(标称值)：3V 精度：±5% 反向电流(Ir)：50uA@1V | 获取价格 | ||
| SN74LVC1G00DBVR | Texas Instruments | 逻辑电路的归属系列：74LVC 逻辑类型：与非门 通道数：1 每通道输入数：2 电源电压：1.65V~5.5V 静态电流(最大值)：10uA | 获取价格 | ||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：4.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA | 获取价格 | ||
| MMSZ5230BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：4.7V 稳压值(范围)：4.47V~4.94V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5uA@2V 阻抗(Zzt)：19Ω | 获取价格 | ||
| L2N7002FLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 停产 | 获取价格 | ||
| BZT52C51 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：51V 稳压值(范围)：48V~54V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：1uA@39V 阻抗(Zzt)：180Ω | 获取价格 | ||
| SR05LC | MDD辰达半导体 | Uni PD=125W VRWM=5V VBR=6V VC=25V IPP=5A IR=1uA CJ=0.9PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 2SC3356 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：1uA 特征频率(fT)：7GHz | 获取价格 | ||
| ESD5Z3.3C | MDD辰达半导体 | Bi PD=84W VRWM=3.3V VBR=4V VC=12V IPP=7A IR=1uA CJ=12PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| SM24C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=24V VBR=26.7V VC=52V IPP=7A IR=1uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 |
