找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP3098LSS-13 | Diodes Incorporated | P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-5.3A P=2.5W | 获取价格 | ||
| DMN63D8L-7 | Diodes Incorporated | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=350mA P=350mW | 获取价格 | ||
| AO6409 | Alpha & Omega Semiconductor（AOS） | N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A | 获取价格 | ||
| AON6268 | Alpha & Omega Semiconductor（AOS） | N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=44A DFN5X6 | 获取价格 | ||
| DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated | N沟道增强型MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V | 获取价格 | ||
| STW9NK90Z | ST | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=8A Pd=160W TO247 | 获取价格 | ||
| IRF630 | ST | MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=9A Pd=75W TO220-3 | 获取价格 | ||
| NCE3010S | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL | 获取价格 | ||
| FDJ129 | FAIRCHILD[FairchildSemiconductor] | FDJ129 - P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET - Fairchild Semiconductor | 获取价格 | ||
| BF 2040 E6814 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | 获取价格 | ||
| BUK7Y1R4-40HX | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | 获取价格 | ||
| BUK9J0R9-40HX | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):220A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | 获取价格 | ||
| BUK7635-55A,118 | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | 获取价格 | ||
| FDP054N10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | 获取价格 | ||
| FDS3890 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | 获取价格 | ||
| FDD24AN06LA0-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | 获取价格 | ||
| C505CA4EMCAFXQMA1 | Infineon Technologies | C500 C5xx/C8xx Microcontroller IC 8-Bit 20MHz 32KB (32K x 8) OTP 44-MQFP (10x10) | 获取价格 | ||
| FDD8780 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,35A; | 获取价格 | ||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | MOSFETs N-沟道 VDS=30V VGS=±10V ID=25A RDS(ON)=15.1mΩ@8A,8V WSON6_2X2MM_EP | 获取价格 | ||
| PH2625L,115 | Nexperia | MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±20V ID=100mA RDS(ON)=2.8mΩ@10V SOT669 | 获取价格 |
