找到“hw650ep15c”相关的规格书共198,371个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ER1537-18JR | API Delevan Inc. | 1.8 µH 无屏蔽 模制 电感器 525 mA 650 毫欧最大 轴向 | 获取价格 | ||
| 5800-271 | Bourns Inc. | 270 µH 无屏蔽 鼓芯，绕线式 电感器 500 mA 650 毫欧最大 轴向 | 获取价格 | ||
| IPB65R225C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3 | 获取价格 | ||
| NTH4L060N065SC1 | ON Semiconductor | 通孔 N 通道 650 V 47A（Tc） 176W（Tc） TO-247-4L | 获取价格 | ||
| TK090Z65Z,S1F | TOSHIBA CORPORATION | 通孔 N 通道 650 V 30A（Ta） 230W（Tc） TO-247-4L（T） | 获取价格 | ||
| FGHL75T65LQDTL4 | ON Semiconductor | IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 469 W 通孔 TO-247-4L | 获取价格 | ||
| IKZA50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 274 W 通孔 PG-TO247-4-3 | 获取价格 | ||
| NFVA36065L42 | ON Semiconductor | ASPM27 V3 650V/60A (FOR TICO) | 获取价格 | ||
| NXV65HR82DS1 | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 MOSFET H 桥 650 V 26 A 16-SSIP 노출형 패드，성형 리드 | 获取价格 | ||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 | 获取价格 | ||
| NVHL072N65S3 | ON Semiconductor | 通孔 N 通道 650 V 44A（Tc） 312W（Tc） TO-247-3 | 获取价格 | ||
| MSJPF11N65-BP | Micro Commercial Components | 通孔 N 通道 650 V 11A（Tc） 31.3W（Tc） TO-220F | 获取价格 | ||
| FCU600N65S3R0 | ON Semiconductor | 通孔 N 通道 650 V 6A（Tc） 54W（Tc） I-PAK | 获取价格 | ||
| UJ3C065080T3S | Qorvo, Inc | 通孔 N 通道 650 V 31A（Tc） 190W（Tc） TO-220-3 | 获取价格 | ||
| UF3C065040T3S | Qorvo, Inc | 通孔 N 通道 650 V 54A（Tc） 326W（Tc） TO-220-3 | 获取价格 | ||
| FCHD190N65S3R0-F155 | ON Semiconductor | 通孔 N 通道 650 V 17A（Tc） 144W（Tc） TO-247-3 | 获取价格 | ||
| UF3C065080T3S | Qorvo, Inc | 通孔 N 通道 650 V 31A（Tc） 190W（Tc） TO-220-3 | 获取价格 | ||
| IXFP12N65X2 | IXYS Integrated Circuits Division | 通孔 N 通道 650 V 12A（Tc） 180W（Tc） TO-220-3 | 获取价格 | ||
| IXYH120N65A5 | IXYS Integrated Circuits Division | IGBT 650V 120A X5 XPT TO-247 | 获取价格 | ||
| IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 沟道 650 V 75 A 175 W 通孔 PG-TO247-3-32 | 获取价格 |
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