找到“mv2101”相关的规格书共6,920个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| MMDTC114EE | ST(先科) | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):500nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@10mA,0.5mA;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@10mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5m | 获取价格 | ||
| MMDT3946DW | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| DTA143XCA | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):2.5V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@ | 获取价格 | ||
| DTC113ZCA | PSI | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@10mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V;输入电阻: | 获取价格 | ||
| DTC143EE | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V;输入电阻 | 获取价格 | ||
| DTA144EE | T&C Technology | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@2mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA | 获取价格 | ||
| DTC113ZCA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@10mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V;输入电阻: | 获取价格 | ||
| DTC143EE | T&C Technology | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V;输入电阻 | 获取价格 | ||
| DTC143EE | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V;输入电阻 | 获取价格 | ||
| PMDT290UCE,115 | Nexperia | 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V； | 获取价格 | ||
| DTA144EE | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@2mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA | 获取价格 | ||
| D2632-ADJ | Shaoxing Silicore Technology Co., Ltd. | 是一款高电流、高精度和低压差的稳压调节器。此稳压器具有300mV至370mV（满载）的电压降，静态电流很低。设计用于大电流负载，该设备也适用于低电流、极低压降的关键系统，其中其微小的压降和接地电流值是重要的属性。设计为完全防止过电流故障、反向输入极性、反向引线插入，超温运行，正负瞬态电压尖峰。具有3A大电流输出能力，±1%输出精度(Io=10mA)，满量程输出精度是±2%，一个TTL/CMOS逻辑使能（EN）引脚可以关断调节器。 | 获取价格 | ||
| FZT955 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):3W;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):370mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,5V;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP56-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：-80V 集电极电流(Ic)：-1A 功率(Pd)：1.5W 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V | 获取价格 | ||
| FZT955-MS | Mason semiconductor | 集射极击穿电压(Vceo)：-140V 集电极电流(Ic)：-4A 功率(Pd)：3W 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：370mV@3A,300mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@1A | 获取价格 | ||
| 2SC3303 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@3A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1A,1V;特征频率(fT):20MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD2150R | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,0.2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1A,2V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1624S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS301ND,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):360mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):230@6A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CNY173SR2VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 |
