找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| TL084CDTR | Shenzhen Xinbole Electronics Co., Ltd. | JFET低噪声四运放，工作电压（Vcc）(v)±3~±18V，增益带宽积GBW(Typ)4MHz，失调电压 VOS（Max)13mV，静态功耗Iq(Typ)1.4mA | 获取价格 | ||
| LM2902 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 低功耗放大器 (＜1mA/放大器) SOP14_150MIL VCC=±16V~±32V Ii=50mA SR=400mV/μs GBP=1.3MHz | 获取价格 | ||
| MMBT8050CW(1.5A) | ST(先科) | 硅外延平面晶体管 200mW 1.5A NPN 25V 100nA 100MHz 500mV@800mA,80mA +150℃@(Tj) 100@100mA,1V SOT-323-3 | 获取价格 | ||
| ABS210 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 正向浪涌电流(Ifsm)：45A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 1000V | 获取价格 | ||
| BC337-40 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 100nA 45V 625mW 250@100mA,1V 800mA 210MHz 700mV@500mA,50mA NPN +150℃@(Tj) TO-92-3 | 获取价格 | ||
| SS8050-H | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | NPN通用放大器 100nA 25V 300mW 200@100mA,1V 1.5A 100MHz 500mV@800mA,80mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| 2SD1000K | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 硅外延平面晶体管 NPN 800mA 25V 625mW 100nA 500mV@800mA,80mA 100MHz +150℃@(Tj) 120@800mA,1V SOT-89-3 | 获取价格 | ||
| MMBT8550C(B9C) | ST(先科) | 硅外延平面晶体管 100nA 25V 350mW 100@100mA,1V 600mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| LBC857CLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用晶体管 15nA 45V 300mW 520@2mA,5V 100mA 100MHz 650mV@100mA,5mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| 2SD1007Q | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 通用三极管 NPN 0.7A 120V 2W 100nA 300mV@500mA,50mA 90MHz +150℃@(Tj) 200@100mA,1V SOT-89-3 | 获取价格 | ||
| 2SA1797R | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 通用三极管 100nA 50V 500mW 82@500mA,2V 1.5A 200MHz 150mV@1A,50A PNP +150℃@(Tj) SOT-89 | 获取价格 | ||
| LBC817-16LT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用晶体管 100nA 45V 225mW 100@100mA,1V 500mA 100MHz 700mV@500mA,50mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| BAT54C_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 正向压降（Vf）：600mV @ 100mA 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：200mA 共阴,30V,0.2A,VF=0.22V@0.1mA | 获取价格 | ||
| LMBTA44LT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | NPN外延平面晶体管 100nA 400V 350mW 80@10mA,10V 200mA 50MHz 300mV@50mA,5mA NPN +150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| K210 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：850mV@2A 反向电流(Ir)：200uA@100V | 获取价格 | ||
| L8550PLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用晶体管PNP硅 150nA 25V 225mW 800mA 500mV@800mA,80mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| WPM2087-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率MOSFET 20V 3.6A 34mΩ@4.5V,5A 900mW 750mV@250uA 108pF@10V P Channel 1.182nF@10V 12nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| ES1D | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5μA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1SS357 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：600mV 100mA 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：100mA 反向电流(Ir)：5μA 40V | 获取价格 | ||
| 0438003.WRGT | Littelfuse Inc. | 标称电压降：93mV 熔断 I²t：0.2922 分断能力：50A 产品：贴片式陶瓷保险丝 标称冷电阻：25.5mΩ 保险丝类型：快速熔断 额定电流：3A | 获取价格 |
