找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BCX52TF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS5250X,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):320mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS303PX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):5.1A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):160mV@5.1A,255mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@6A,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4379YU | ST(先科) | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SCR375PT100R | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@200mA,5V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| A1015 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):130@2mA,6V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMTL2301C | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):503pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):58pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS4032PT | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):2.4A;功率(Pd):390mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):220mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):230@1A,2V;特征频率(fT):160MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC3906KFRAT146 | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@10mA,1mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TPM3415ES3 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):650mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.2nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.1811nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):114.8pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SBC807-16LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| APM2315AC-TRG | Sinopower Semiconductor, Inc | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.135nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):110pF@15V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847B | PSI | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9013 | YFW | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT3904 | YFW | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9014 | YFW | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S8050 | YFW | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817DPN,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz；80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| WPT2F30-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SEBT818BA | SINO-IC | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):210mV@2A,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
