找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2CZ4007 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 1000V,1A,VF=1.1V@1A | 获取价格 | ||
| SSM3K35AMFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA | 获取价格 | ||
| 4953 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 表面贴装型 P 通道 30V 4.9A 48mΩ@10V,5.1A 2W 1.6V@250uA 70pF@15V 2 520pF@15V 12nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SO-8 MOSFETs | 获取价格 | ||
| 1.5KE36CA | Littelfuse Inc. | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：30.8V 击穿电压(最小值)：34.2V 击穿电压(最大值)：37.8V 反向漏电流(Ir)：1uA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：30.5A 最大钳位电压：49.9V | 获取价格 | ||
| NTA4001NT1G | ON Semiconductor | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA | 获取价格 | ||
| ZXMP3A16GTA | Diodes Incorporated | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.4A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA | 获取价格 | ||
| MMSZ3V3T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.3V 稳压值(范围)：3.14V~3.47V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5uA@1V 阻抗(Zzt)：95Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C2V7S-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.7V 稳压值(范围)：2.5V~2.9V 功率：200mW 反向电流(Ir)：20uA@1V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5931BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@13.7V 阻抗(Zzt)：12Ω | 获取价格 | ||
| RS1K-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@800V 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1G-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：10uA@400V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1J-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：250ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES2G-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.25V@2A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1D-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1MB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1K-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@800V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1DB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| NTK3134NT1G | ON Semiconductor | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA | 获取价格 | ||
| US1M | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| MURS140T3G | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.25V@1A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 |
