找到“3140UA”相关的规格书共5,804个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SVF14N65CFJ | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.67nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):6.2pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJE15030G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,2V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJE15032G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@2A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMIRF8N60T1TL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.16nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC2073T1TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):25W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NX138BKWX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):210mA;功率(Pd):266mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,200mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):500pC@10V;输入电容(Ciss@Vds):20pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):2pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM30N120KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):63nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.921nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):416pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM60N45KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):80W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.92nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM68N80KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.7mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.36nF@34V;反向传输电容(Crss@Vds):540pF@34V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM60N80KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):108W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):90nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.36nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):209pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM30P100KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):109W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.56nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):700pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM100R160NKQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):16nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.135nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):18pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HY1001D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):82nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):220pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AOD2606-MS | Mason semiconductor | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):33nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.68nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM20N20KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):515pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):80pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP100N03AD | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):33.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.614nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):215pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF4N65RDTR | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):77W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):440pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB649A-C | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1261-M | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@600mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| RJP020N06T100-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):7.1A;功率(Pd):6.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):76mΩ@4.5V,6.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):810pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
