找到“3140UA”相关的规格书共5,804个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1803T-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):220mV@3A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE65TF180D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):21A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,10.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.25nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB86363-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):131nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):10nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):95pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JCS10N65ST-S-AR | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.61nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG064N08NA1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):65nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):205pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG025N06LS2B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):145A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):69.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.381nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):10pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP028N85D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):200A;功率(Pd):245W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):124nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.68nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG055N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.66nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 4060K | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.65V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.246nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):176pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP1545AK | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):21.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.3nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):11.7pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HB840U(CHA) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):520V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):135W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMSH0805AE-13 | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):121A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):39.7nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.451nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):18pF@40V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KNB3610A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):82nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.83nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):208pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5566-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):360MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP3415AI | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):939pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):111pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FS5N10S | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):3.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):182pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):3.6pF@50V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NTR0202PLT1G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.4nC@2.5V;输入电容(Ciss@Vds):835pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):155pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SM2312SRL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18.9mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):800mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):525pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):75pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3402 | Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.34nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):390pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):41pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM20N12ZB-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):1.14W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):950mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):1.035nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):150pF@20V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
