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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
ASDM540G-RAscend Frequency Devices类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,12A;获取价格
ASDM40N100P-TAscend Frequency Devices获取价格
ASDM40N60KQ-RAscend Frequency DevicesASDM40N60KQ-R获取价格
ASDM2301ZA/SOT23Ascend Frequency DevicesASDM2301ZA/SOT23获取价格
ASPL1117-3.3-DT-RAscend Frequency DevicesASPL1117-3.3-DT-R获取价格
ASDM6802ZC-RAscend Frequency Devices类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):1.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):245pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):32pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
ASPL431AZA/SOT23Ascend Frequency Devices电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:40V;输出电压:2.5V~36V;输出电流:-;精度:-;温度系数:-;静态电流:-;最小阴极电流调节:400uA;动态阻抗:100mΩ;工作温度:-25℃~+125℃@(Ta);获取价格
ASPL78L05DI-RAscend Frequency Devices输出类型:-;获取价格
ASDM3401ZB-RAscend Frequency Devices类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):954pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):77pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
ASDM3415ZA-RAscend Frequency Devices获取价格
ASDM60P12KQ-RAscend Frequency Devices类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):62mΩ@10V,14A;获取价格
ASDM60N30KQ-RAscend Frequency Devices类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.562nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):66.8pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
ASDM40N80KQ-RAscend Frequency Devices类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@4.5V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.027nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):155pF@20V;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
ASDM100N34KQ-RAscend Frequency Devices类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):34A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.5nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):252pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
ASP8120ZC-RAscend Frequency Devices获取价格
ASDM30P09ZB-RAscend Frequency DevicesASDM30P09ZB-R获取价格
ASOPD4580N/DIP8Ascend Frequency Devices获取价格
ASDM3020S-RAscend Frequency DevicesASDM3020S-R获取价格
ASDM30N100KQ-RAscend Frequency Devices类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):79W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,30A;获取价格
ASDM30N120KQ-RAscend Frequency Devices类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):63nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.921nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):416pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格