| SE80160GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SEBT3906U | SINO-IC | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):250mW; | | | 获取价格 |
| SED3030M | SINO-IC | | | | 获取价格 |
| LT3010 | SINO-IC | LT3010 | | | 获取价格 |
| SED4060G | SINO-IC | SED4060G | | | 获取价格 |
| SE30P12 | SINO-IC | | | | 获取价格 |
| SE8205A | SINO-IC | SE8205A | | | 获取价格 |
| SESD3Z5C | SINO-IC | SESD3Z5C | | | 获取价格 |
| SE150180G | SINO-IC | MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=180A RDS(ON)=5mΩ@10V TO263 | | | 获取价格 |
| SMAJ5.0CA | SINO-IC | | | | 获取价格 |
| SE30P50B | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A; | | | 获取价格 |
| SE2N60B | SINO-IC | | | | 获取价格 |
| SE8090A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE30150A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE85210GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE100P60A | SINO-IC | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE120120GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):120V;连续漏极电流(Id):129A;功率(Pd):185W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.1mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| SEBT3904U | SINO-IC | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SESDFBP05C | SINO-IC | | | | 获取价格 |
| SMBJ6.5CA | SINO-IC | SMBJ6.5CA | | | 获取价格 |
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