找到“IB2405S”相关的规格书共1,792个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR375PT100R | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@200mA,5V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| A1015 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):130@2mA,6V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS4032PT | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):2.4A;功率(Pd):390mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):220mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):230@1A,2V;特征频率(fT):160MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC3906KFRAT146 | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@10mA,1mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SBC807-16LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847B | PSI | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9013 | YFW | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT3904 | YFW | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9014 | YFW | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S8050 | YFW | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMMBT2222ALT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817DPN,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz；80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| WPT2F30-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SEBT818BA | SINO-IC | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):210mV@2A,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS4160DPN,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):560mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):115mV@500mA,50mA；120mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1A,5V；160@1A,5V;特征频率(fT):220MHz；185MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S8550-H | Jingdao | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC63916-D27Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):830mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PN2907BU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):20uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PN2222ABU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SS8050CBU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
